美光科技在其 2026 财年第三季度财报演示材料中披露，预计其从力晶科技收购的苗栗铜锣一厂将在 2027 年年中开始实现有意义的 DRAM 出货量，这一时间点比原先的预测提前了三个月。

此外，紧邻洁净室面积达 28,000 平方米的铜锣一厂，美光正在建设占地约 25,000 平方米洁净室面积的铜锣二厂。该新工厂的设计将支持 EUV（极紫外光刻）设备，并服务于 1γ、1δ 及更先进的 DRAM 制造工艺。

美光还指出，其位于新加坡、于 2025 年初动工的高带宽内存（HBM）先进封装工厂，预计将从 2027 年上半年开始对其后端产能产生显著贡献。

在其他与财报相关的信息中，美光提及 1γ 16Gb LPDDR5X 已进入量产并开始出货。同时，1γ 24Gb LPDDR5X 已向多家移动设备原始设备制造商（OEM）提供了样品。面向汽车行业的产品方面，1γ LPDDR5 已达到产品就绪状态并开始出样，此外，首批车规级 1γ DDR5 也已向一家自动驾驶出租车公司进行了交付。